창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-WHB10RFET | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | WH, WN Series | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 스루홀 저항기 | |
제조업체 | Ohmite | |
계열 | WH | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 10 | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 1W | |
구성 | 권선 | |
특징 | - | |
온도 계수 | ±50ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
패키지/케이스 | 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
크기/치수 | 0.130" Dia x 0.276" L(3.30mm x 7.00mm) | |
높이 | - | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | WHB10RFETR WHB10RFT WHB10RFTR WHB10RFTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | WHB10RFET | |
관련 링크 | WHB10, WHB10RFET 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 |
![]() | SP1255PUTG | TVS DIODE 4VWM 8.5VC DFN6 | SP1255PUTG.pdf | |
![]() | 7M-18.432MAHE-T | 18.432MHz ±30ppm 수정 12pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-18.432MAHE-T.pdf | |
![]() | 4P200F35IET | 20MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P200F35IET.pdf | |
![]() | CRCW0603160KJNEA | RES SMD 160K OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW0603160KJNEA.pdf | |
![]() | ASD03-12D3H | ASD03-12D3H ASTRODYNE DIP24 | ASD03-12D3H.pdf | |
![]() | X24C04S8I-T1 | X24C04S8I-T1 XICOR SOP8 | X24C04S8I-T1.pdf | |
![]() | MSU9U19B-LF | MSU9U19B-LF MST QFP | MSU9U19B-LF.pdf | |
![]() | 622-2016 | 622-2016 BUCHANAN/TYCO SMD or Through Hole | 622-2016.pdf | |
![]() | 24256 6 | 24256 6 ST SOP-5.2-8P | 24256 6.pdf | |
![]() | 2W 0.1R | 2W 0.1R ORIGINAL SMD or Through Hole | 2W 0.1R.pdf | |
![]() | TC55V2001FI-85 | TC55V2001FI-85 TOSHIBA SOP32 | TC55V2001FI-85.pdf | |
![]() | 5962-8100622EA | 5962-8100622EA ORIGINAL CDIP16 | 5962-8100622EA.pdf |