창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-W10M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | W06M~10M DB(S);MDBS;WOM Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 브리지 정류기 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 단상 | |
전압 - 피크 역(최대) | 1000V | |
전류 - DC 순방향(If) | 1.5A | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-원형, WOM | |
공급 장치 패키지 | WOM | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | W10MGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | W10M | |
관련 링크 | W1, W10M 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 402F20033CJR | 20MHz ±30ppm 수정 9pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20033CJR.pdf | |
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![]() | TC55V8512FT-12/15 | TC55V8512FT-12/15 MEMORY SMD | TC55V8512FT-12/15.pdf | |
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