창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VUO18-16DT8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VUO18 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 브리지 정류기 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 3상 | |
전압 - 피크 역(최대) | 1600V | |
전류 - DC 순방향(If) | 18A | |
실장 유형 | QC 단자 | |
패키지/케이스 | 5-정사각, FO-B | |
공급 장치 패키지 | FO-B | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VUO18-16DT8 | |
관련 링크 | VUO18-, VUO18-16DT8 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
B32529C3683J | 0.068µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.287" L x 0.177" W (7.30mm x 4.50mm) | B32529C3683J.pdf | ||
9C-35.328MEEJ-T | 35.328MHz ±10ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C-35.328MEEJ-T.pdf | ||
445W25B20M00000 | 20MHz ±20ppm 수정 13pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W25B20M00000.pdf | ||
NNL10-11C | NNL10-11C C&D SMD or Through Hole | NNL10-11C.pdf | ||
CRE22F4BYYNE | CRE22F4BYYNE Cherry SMD or Through Hole | CRE22F4BYYNE.pdf | ||
SFD605+G | SFD605+G ORIGINAL TO | SFD605+G.pdf | ||
DB3150FFTT/1HF | DB3150FFTT/1HF STM SMD or Through Hole | DB3150FFTT/1HF.pdf | ||
ST72621T1/NMXTR | ST72621T1/NMXTR ST SOP-34 | ST72621T1/NMXTR.pdf | ||
UCC29911DR | UCC29911DR TI-BB SOIC14 | UCC29911DR.pdf | ||
RL1632L-R220-FN | RL1632L-R220-FN CYNTEC SMD or Through Hole | RL1632L-R220-FN.pdf | ||
39v | 39v NEC SOT-23 | 39v.pdf | ||
C8051F120TB | C8051F120TB SILICON SMD or Through Hole | C8051F120TB.pdf |