창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VUO110-12NO7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VUO110-12NO7 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 브리지 정류기 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 3상 | |
전압 - 피크 역(최대) | 1200V | |
전류 - DC 순방향(If) | 127A | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | PWS-E1 | |
공급 장치 패키지 | PWS-E1 | |
표준 포장 | 5 | |
다른 이름 | 462373 VUO11012NO7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VUO110-12NO7 | |
관련 링크 | VUO110-, VUO110-12NO7 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | SMA5J16A-E3/61 | TVS DIODE 16VWM 26VC SMA | SMA5J16A-E3/61.pdf | |
![]() | SMCJ5641E3/TR13 | TVS DIODE 17.8VWM 31.9VC DO214AB | SMCJ5641E3/TR13.pdf | |
![]() | UH2D-E3/5BT | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | UH2D-E3/5BT.pdf | |
![]() | RW2S0CBR150JET | RES SMD 0.15 OHM 5% 2W J LEAD | RW2S0CBR150JET.pdf | |
![]() | RC0805DR-0724R9L | RES SMD 24.9 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RC0805DR-0724R9L.pdf | |
![]() | MB87065 | MB87065 FUJ QFP | MB87065.pdf | |
![]() | PESD3V3L5UF | PESD3V3L5UF NXP SMD or Through Hole | PESD3V3L5UF.pdf | |
![]() | 104IT-52Z | 104IT-52Z SEMITEC SMD or Through Hole | 104IT-52Z.pdf | |
![]() | G100-975-A2 | G100-975-A2 nVIDIA BGA | G100-975-A2.pdf | |
![]() | HR30-6JA-6P(71) | HR30-6JA-6P(71) HIROSE SMD or Through Hole | HR30-6JA-6P(71).pdf | |
![]() | 4855MUC | 4855MUC FSC MSOP8 | 4855MUC.pdf | |
![]() | NV73A1ETTP18 | NV73A1ETTP18 KOA SMD | NV73A1ETTP18.pdf |