창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VUO100-12NO7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VUO100 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 브리지 정류기 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 3상 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 1200V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 100A | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | FO-T-A | |
| 공급 장치 패키지 | FO-T-A | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VUO100-12NO7 | |
| 관련 링크 | VUO100-, VUO100-12NO7 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602BI-23-28E-27.000000D | OSC XO 2.8V 27MHZ OE | SIT1602BI-23-28E-27.000000D.pdf | |
![]() | UES1102SM | DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF | UES1102SM.pdf | |
![]() | ERJ-B2CJR018V | RES SMD 0.018 OHM 1W 1206 WIDE | ERJ-B2CJR018V.pdf | |
![]() | CRCW20109K31FKEF | RES SMD 9.31K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20109K31FKEF.pdf | |
![]() | BH6573A | BH6573A ROHM TSSOP | BH6573A.pdf | |
![]() | 5692-8952404XA | 5692-8952404XA CY CDIP28 | 5692-8952404XA.pdf | |
![]() | TL032CDRG4 | TL032CDRG4 TI SOP8 | TL032CDRG4.pdf | |
![]() | EFMB102B-W | EFMB102B-W RECTRON DO-214AA | EFMB102B-W.pdf | |
![]() | BA3853 | BA3853 ROHM SMD | BA3853.pdf | |
![]() | PMEG6030EP115**CH-AST | PMEG6030EP115**CH-AST NXP SMD or Through Hole | PMEG6030EP115**CH-AST.pdf | |
![]() | HLS30ZG-NT9 | HLS30ZG-NT9 ORIGINAL SMD or Through Hole | HLS30ZG-NT9.pdf |