Rohm Semiconductor VT6M1T2CR

VT6M1T2CR
제조업체 부품 번호
VT6M1T2CR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
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내부 부품 번호EIS-VT6M1T2CR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서VT6M1
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.2V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.5옴 @ 100mA, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 100µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7.1pF @ 10V
전력 - 최대120mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지VMT6
표준 포장 8,000
다른 이름VT6M1T2CRTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)VT6M1T2CR
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