창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VS3V3BB1EST15R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VS3V3BB1ES | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 3.3V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 4V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 8.2V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 5.5A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | 45W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 10pF @ 1MHz | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
공급 장치 패키지 | DSN0603-2 | |
표준 포장 | 15,000 | |
다른 이름 | VS3V3BB1EST15RTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VS3V3BB1EST15R | |
관련 링크 | VS3V3BB1, VS3V3BB1EST15R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
CS1206JKNPOZBN471 | 470pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CS1206JKNPOZBN471.pdf | ||
LD051A361FAB2A | 360pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | LD051A361FAB2A.pdf | ||
SIT8208AI-33-33S-25.000000T | OSC XO 3.3V 25MHZ ST | SIT8208AI-33-33S-25.000000T.pdf | ||
AF0603FR-071M8L | RES SMD 1.8M OHM 1% 1/10W 0603 | AF0603FR-071M8L.pdf | ||
SFR2500003654FR500 | RES 3.65M OHM 0.4W 1% AXIAL | SFR2500003654FR500.pdf | ||
25FR80 | 25FR80 ORIGINAL DO-203AA | 25FR80.pdf | ||
RM10J223CT | RM10J223CT calchip INSTOCKPACK5000 | RM10J223CT.pdf | ||
BT152 | BT152 ORIGINAL TO-220 | BT152.pdf | ||
699-11-MB | 699-11-MB MARATHON/KULKA SMD or Through Hole | 699-11-MB.pdf | ||
AF450P*A2G1T | AF450P*A2G1T ORIGINAL NA | AF450P*A2G1T.pdf | ||
CHIPE2120MUE6327 | CHIPE2120MUE6327 ORIGINAL SMD or Through Hole | CHIPE2120MUE6327.pdf | ||
ZMM2.7V | ZMM2.7V ST LL-34 | ZMM2.7V.pdf |