창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-VS16-180E-151JT(CTC) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | VS16-180E-151JT(CTC) | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | VS16-180E-151JT(CTC) | |
관련 링크 | VS16-180E-15, VS16-180E-151JT(CTC) 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | UKT1H331MPD | 330µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UKT1H331MPD.pdf | |
017055 | 28.259375MHz 수정 표면실장(SMD, SMT) | 017055.pdf | ||
![]() | 416F440X3IDT | 44MHz ±15ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F440X3IDT.pdf | |
![]() | 3EZ6.2D10/TR12 | DIODE ZENER 6.2V 3W DO204AL | 3EZ6.2D10/TR12.pdf | |
![]() | SI7214DN-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8 | SI7214DN-T1-GE3.pdf | |
![]() | 74438356033 | 3.3µH Shielded Inductor 3.6A 48 mOhm Max 2-SMD | 74438356033.pdf | |
![]() | FDU3580 | FDU3580 FAIRCHILD TO-251 | FDU3580.pdf | |
![]() | 8J73132BG | 8J73132BG ORIGINAL BGA | 8J73132BG.pdf | |
![]() | A3180H | A3180H Agilent DIP | A3180H.pdf | |
![]() | 160USG272M30X50 | 160USG272M30X50 RUBYCON DIP | 160USG272M30X50.pdf | |
![]() | 2SK2842(Q | 2SK2842(Q TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK2842(Q.pdf | |
![]() | GRM1555C1H60DZ01D | GRM1555C1H60DZ01D YAGEO SMD | GRM1555C1H60DZ01D.pdf |