창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VS-MURD620CTTRR-M3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VS-MURD620CT-M3 | |
| PCN 설계/사양 | Leadframe Update 04/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | FRED Pt® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 35ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252AA | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | VSMURD620CTTRRM3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VS-MURD620CTTRR-M3 | |
| 관련 링크 | VS-MURD620, VS-MURD620CTTRR-M3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM188R60J475KE19J | 4.7µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM188R60J475KE19J.pdf | |
![]() | P6KE47CA-E3/73 | TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AC | P6KE47CA-E3/73.pdf | |
![]() | CS18LV00645ACR70 | CS18LV00645ACR70 CHIPLUS SMD or Through Hole | CS18LV00645ACR70.pdf | |
![]() | RA103C | RA103C SANYO SOT-23 | RA103C.pdf | |
![]() | STV5350-BA5 | STV5350-BA5 ST DIP28 | STV5350-BA5.pdf | |
![]() | C0805C331J5GAC7800(0805-330P) | C0805C331J5GAC7800(0805-330P) KEMET SMD or Through Hole | C0805C331J5GAC7800(0805-330P).pdf | |
![]() | M30622MC-D55FP | M30622MC-D55FP MIT QFP-100 | M30622MC-D55FP.pdf | |
![]() | F950J336MVCQ2 | F950J336MVCQ2 NICHICON SMD or Through Hole | F950J336MVCQ2.pdf | |
![]() | CD32 100UH | CD32 100UH ORIGINAL SMD or Through Hole | CD32 100UH.pdf | |
![]() | ABC210P | ABC210P Panasoni SMD | ABC210P.pdf | |
![]() | IRHNJ54034 | IRHNJ54034 IR SMD-0.5 | IRHNJ54034.pdf |