창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VS-GT100TP60N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VS-GT100TP60N | |
PCN 설계/사양 | Plating Material Chg 03/Feb/2016 | |
PCN 포장 | PowerModules_2DBarcode Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | Trench | |
구성 | 하프브리지 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 160A | |
전력 - 최대 | 417W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 5mA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 7.71nF @ 30V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 없음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | INT-A-PAK(3 + 4) | |
공급 장치 패키지 | INT-A-PAK | |
표준 포장 | 24 | |
다른 이름 | VSGT100TP60N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VS-GT100TP60N | |
관련 링크 | VS-GT10, VS-GT100TP60N 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
MLG0402Q2N1BT000 | 2.1nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 700 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402Q2N1BT000.pdf | ||
MT58L512LI80D | MT58L512LI80D ORIGINAL SMD or Through Hole | MT58L512LI80D.pdf | ||
SDH12N160P | SDH12N160P SW DO-4 | SDH12N160P.pdf | ||
PDZ3.9B(3.9V) | PDZ3.9B(3.9V) PHILIPS F0805 | PDZ3.9B(3.9V).pdf | ||
C4760 | C4760 ORIGINAL TO-3PL | C4760.pdf | ||
JXV2N3847 | JXV2N3847 MSC TO-63 | JXV2N3847.pdf | ||
SC016-4-TE 12RA | SC016-4-TE 12RA FUJ SMA-2 | SC016-4-TE 12RA.pdf | ||
01530009Z | 01530009Z LITTELFUSE SMD or Through Hole | 01530009Z.pdf | ||
10FWJ2C42 | 10FWJ2C42 ORIGINAL TO- | 10FWJ2C42.pdf | ||
PIC32MX775F512L-80 | PIC32MX775F512L-80 MICROCHIP TQFP100P | PIC32MX775F512L-80.pdf | ||
UPD78F0500FC(S)-AA1- | UPD78F0500FC(S)-AA1- NEC FLGA | UPD78F0500FC(S)-AA1-.pdf | ||
S82S131F | S82S131F PHI DIP | S82S131F.pdf |