창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VS-GB75TP120N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VS-GB75TP120N | |
PCN 설계/사양 | Plating Material Chg 03/Feb/2016 | |
PCN 포장 | PowerModules_2DBarcode Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
구성 | 하프브리지 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 150A | |
전력 - 최대 | 543W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 75A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 5mA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 5.52nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 없음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | INT-A-PAK(3 + 4) | |
공급 장치 패키지 | INT-A-PAK | |
표준 포장 | 24 | |
다른 이름 | VSGB75TP120N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VS-GB75TP120N | |
관련 링크 | VS-GB75, VS-GB75TP120N 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | GL200F35CDT | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL200F35CDT.pdf | |
![]() | GUR5H60HE3/45 | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC | GUR5H60HE3/45.pdf | |
![]() | AIMC-0402-47NJ-T | 47nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 1.5 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | AIMC-0402-47NJ-T.pdf | |
![]() | RG1608N-3012-D-T5 | RES SMD 30.1KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-3012-D-T5.pdf | |
![]() | MX10E8050IUL | MX10E8050IUL MX QFP | MX10E8050IUL.pdf | |
![]() | K6X401613F-TF70 | K6X401613F-TF70 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6X401613F-TF70.pdf | |
![]() | IDT16244CTEB | IDT16244CTEB IDT SMD or Through Hole | IDT16244CTEB.pdf | |
![]() | RR16080603L1003FT | RR16080603L1003FT ORIGINAL O603 | RR16080603L1003FT.pdf | |
![]() | SRS-4815-1 | SRS-4815-1 DANUBE DIP16 | SRS-4815-1.pdf | |
![]() | UT8205AG-AG6-R | UT8205AG-AG6-R UTC SOT-163 | UT8205AG-AG6-R.pdf | |
![]() | 3695-62B64-1000EF | 3695-62B64-1000EF M SMD or Through Hole | 3695-62B64-1000EF.pdf |