창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VS-8EWX06FNTRL-M3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VS-8EWX06FNTR-M3 | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 04/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | FRED Pt® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 3V @ 8A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 17ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 600V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | VS8EWX06FNTRLM3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VS-8EWX06FNTRL-M3 | |
관련 링크 | VS-8EWX06F, VS-8EWX06FNTRL-M3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
31762-99 | AC/DC | 31762-99.pdf | ||
08051C103J4T4A | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 08051C103J4T4A.pdf | ||
GL270F35IDT | 27MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL270F35IDT.pdf | ||
AF124-JR-073RL | RES ARRAY 4 RES 3 OHM 0804 | AF124-JR-073RL.pdf | ||
BZW04-110 | BZW04-110 PH DO-204AL | BZW04-110.pdf | ||
DS9105-001 | DS9105-001 MAXIM NA | DS9105-001.pdf | ||
65801-052 | 65801-052 BERG/FCI SMD or Through Hole | 65801-052.pdf | ||
426050300-3 | 426050300-3 Digital SMD or Through Hole | 426050300-3.pdf | ||
TEC8445 | TEC8445 ORIGINAL SMD or Through Hole | TEC8445.pdf | ||
APL431BAC-TRG | APL431BAC-TRG ANPEC SOT-23 | APL431BAC-TRG.pdf | ||
K4S563233F-FN60 | K4S563233F-FN60 SAMSUNG BGA90 | K4S563233F-FN60.pdf | ||
6-1/2EA-10R | 6-1/2EA-10R IRC SMD or Through Hole | 6-1/2EA-10R.pdf |