창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VS-50WQ06FNTRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VS-50WQ06FNPbF | |
| PCN 조립/원산지 | DD-007-2014 Rev.0 14/Apr/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 5.5A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 570mV @ 5A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 60V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 360pF @ 5V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | VS-50WQ06FNTRRPBF-ND VS-50WQ06FNTRRPBFGITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VS-50WQ06FNTRRPBF | |
| 관련 링크 | VS-50WQ06F, VS-50WQ06FNTRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MLG0603P0N8BTD25 | 0.8nH Unshielded Multilayer Inductor 1A 60 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P0N8BTD25.pdf | |
![]() | RCP2512W680RJTP | RES SMD 680 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W680RJTP.pdf | |
![]() | P51-300-G-T-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-300-G-T-I12-20MA-000-000.pdf | |
![]() | 4559M | 4559M AZ SOP | 4559M.pdf | |
![]() | KS82C55A-8CP | KS82C55A-8CP SAMSUNG DIP40 | KS82C55A-8CP.pdf | |
![]() | PHI1320A | PHI1320A PHI SOP-8 | PHI1320A.pdf | |
![]() | ICS9LPRS365BKLFT | ICS9LPRS365BKLFT ICS QFN | ICS9LPRS365BKLFT.pdf | |
![]() | SA276 | SA276 SILAN TO94 | SA276.pdf | |
![]() | HDL4H19DNZ102-00 | HDL4H19DNZ102-00 HIT BGA | HDL4H19DNZ102-00.pdf | |
![]() | 10FF-2Z-C1 | 10FF-2Z-C1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10FF-2Z-C1.pdf | |
![]() | LL1608-FH18N | LL1608-FH18N ORIGINAL SMD or Through Hole | LL1608-FH18N.pdf |