창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VS-50WQ06FN-M3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VS-50WQ06FN-M3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | * | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 5.5A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 570mV @ 5A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 60V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 360pF @ 5V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | VS50WQ06FNM3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VS-50WQ06FN-M3 | |
| 관련 링크 | VS-50WQ0, VS-50WQ06FN-M3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BFC241812204 | 0.22µF Film Capacitor 25V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | BFC241812204.pdf | |
![]() | 416F30022CKR | 30MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30022CKR.pdf | |
![]() | IS42S16160D-75EBL | IS42S16160D-75EBL ISSI BGA | IS42S16160D-75EBL.pdf | |
![]() | PAL18L8D/2PC | PAL18L8D/2PC MMI DIP-20 | PAL18L8D/2PC.pdf | |
![]() | TLSH16TP(F) | TLSH16TP(F) TOSHIBA ROHS | TLSH16TP(F).pdf | |
![]() | CA180 | CA180 M/A-COM SMA | CA180.pdf | |
![]() | SSM2300 | SSM2300 PMI SMD or Through Hole | SSM2300.pdf | |
![]() | AD7893BK-S | AD7893BK-S AD DIP | AD7893BK-S.pdf | |
![]() | F0805-221KR | F0805-221KR CN O805 | F0805-221KR.pdf | |
![]() | RM10FT56R0F | RM10FT56R0F TAI-TECH SMD or Through Hole | RM10FT56R0F.pdf | |
![]() | 8929D | 8929D ORIGINAL DIP8 | 8929D.pdf | |
![]() | NL322522-R22K | NL322522-R22K INDUCTORS SMD or Through Hole | NL322522-R22K.pdf |