창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VS-32CTQ030STRR-M3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VS-32CTQ0xxS-M3, xx-1-M3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 15A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 490mV @ 15A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1.75mA @ 30V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VS-32CTQ030STRR-M3 | |
관련 링크 | VS-32CTQ03, VS-32CTQ030STRR-M3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
FBMJ2125HM210NTV | 21 Ohm Impedance Ferrite Bead 0805 (2012 Metric) Surface Mount Power Line 6A 1 Lines 4 mOhm Max DCR -40°C ~ 125°C | FBMJ2125HM210NTV.pdf | ||
85270021020A | 85270021020A EMERSONLUODING SMD or Through Hole | 85270021020A.pdf | ||
HP31K472MRZ | HP31K472MRZ HIT DIP | HP31K472MRZ.pdf | ||
MX7524ESE | MX7524ESE MAXIM SO-16 | MX7524ESE.pdf | ||
SDSL101 | SDSL101 ORIGINAL SMD or Through Hole | SDSL101.pdf | ||
UPC3511CXMS | UPC3511CXMS NEC DIP | UPC3511CXMS.pdf | ||
SST25VF512-20-4C-SAE+A1128 | SST25VF512-20-4C-SAE+A1128 SST SMD or Through Hole | SST25VF512-20-4C-SAE+A1128.pdf | ||
RL1206FR-070R39(Phycomp) | RL1206FR-070R39(Phycomp) ORIGINAL SMD or Through Hole | RL1206FR-070R39(Phycomp).pdf | ||
ESY396M6R3AB2AA | ESY396M6R3AB2AA ARCOTRNI DIP-2 | ESY396M6R3AB2AA.pdf | ||
SBT6045 | SBT6045 IR TO-3 | SBT6045.pdf | ||
CMOS SRAM K6F4016U6C-FF70 | CMOS SRAM K6F4016U6C-FF70 LINGGOU SMD or Through Hole | CMOS SRAM K6F4016U6C-FF70.pdf | ||
SNAP2411 | SNAP2411 RFM SMD or Through Hole | SNAP2411.pdf |