창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VS-20ETF08-M3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 20ETFxxPBF, -M3 | |
PCN 기타 | DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 800V | |
전류 -평균 정류(Io) | 20A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 20A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 95ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 800V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-2 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AC | |
작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | VS20ETF08M3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VS-20ETF08-M3 | |
관련 링크 | VS-20ET, VS-20ETF08-M3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SCRH2D11-4R7 | 4.7µH Shielded Inductor 1.02A 235 mOhm Max Nonstandard | SCRH2D11-4R7.pdf | ||
RT1206CRD0721K5L | RES SMD 21.5KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD0721K5L.pdf | ||
P51-3000-A-J-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-3000-A-J-D-4.5V-000-000.pdf | ||
IRKJ71/06 | IRKJ71/06 IR 71A600V | IRKJ71/06.pdf | ||
1/2W 16K 5% | 1/2W 16K 5% ORIGINAL DIP | 1/2W 16K 5%.pdf | ||
MT58L256 | MT58L256 ORIGINAL QFP | MT58L256.pdf | ||
CN100A110-12 | CN100A110-12 TAIWAN SMD or Through Hole | CN100A110-12.pdf | ||
XQVR600-4CB228B | XQVR600-4CB228B XILINX CB228 | XQVR600-4CB228B.pdf | ||
ADG3233BRMZ-REEL7 | ADG3233BRMZ-REEL7 AD MSOP8 | ADG3233BRMZ-REEL7.pdf | ||
TPU3050SPOB3 | TPU3050SPOB3 Micronas SMD or Through Hole | TPU3050SPOB3.pdf | ||
A51-451-0000220 | A51-451-0000220 ORIGINAL SMD or Through Hole | A51-451-0000220.pdf | ||
A15N560J2ATR52 | A15N560J2ATR52 RGA SMD or Through Hole | A15N560J2ATR52.pdf |