창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VS-12CWQ04FNTRR-M3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VS-12CWQ04FN-M3 | |
비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 6A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 680mV @ 12A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 40V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | VS12CWQ04FNTRRM3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VS-12CWQ04FNTRR-M3 | |
관련 링크 | VS-12CWQ04, VS-12CWQ04FNTRR-M3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CIH10T8N2JNC | 8.2nH Unshielded Multilayer Inductor 700mA 240 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | CIH10T8N2JNC.pdf | |
![]() | 5022-103H | 10µH Unshielded Inductor 610mA 900 mOhm Max 2-SMD | 5022-103H.pdf | |
![]() | GPDR | RELAY | GPDR.pdf | |
![]() | UPD78058GC-B74-8BT | UPD78058GC-B74-8BT NEC QFP | UPD78058GC-B74-8BT.pdf | |
![]() | 200-3C | 200-3C ORIGINAL SMD or Through Hole | 200-3C.pdf | |
![]() | E24SR05012NRFA | E24SR05012NRFA ORIGINAL SMD or Through Hole | E24SR05012NRFA.pdf | |
![]() | 0RPB-06F1A0 | 0RPB-06F1A0 Bel SOPDIP | 0RPB-06F1A0.pdf | |
![]() | 2SB1385 | 2SB1385 NEC SMD or Through Hole | 2SB1385.pdf | |
![]() | G4S-1112P-B 24VDC | G4S-1112P-B 24VDC OMROM SMD or Through Hole | G4S-1112P-B 24VDC.pdf | |
![]() | SST27F512-70-3C-PGE | SST27F512-70-3C-PGE SST DIP | SST27F512-70-3C-PGE.pdf | |
![]() | K1A324P | K1A324P ORIGINAL DIP | K1A324P.pdf | |
![]() | SN0601103RHLR | SN0601103RHLR TEXAS&BB QFN | SN0601103RHLR.pdf |