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Vishay BC Components VQ1001P-2

VQ1001P-2
제조업체 부품 번호
VQ1001P-2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
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VQ1001P-2 매개 변수
내부 부품 번호EIS-VQ1001P-2
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서VQ1001J/P
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장*
부품 현황유효
FET 유형4 N 채널
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C830mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.75옴 @ 200mA, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds110pF @ 15V
전력 - 최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형*
패키지/케이스-
공급 장치 패키지*
표준 포장 25
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)VQ1001P-2
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