창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VP3203N3-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VP3203 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 650mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 10mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 740mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VP3203N3-G | |
| 관련 링크 | VP3203, VP3203N3-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | SMAJ60A-13-F | TVS DIODE 60VWM 96.8VC SMA | SMAJ60A-13-F.pdf | |
![]() | MCR18ERTJ123 | RES SMD 12K OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18ERTJ123.pdf | |
![]() | 4608M-102-331LF | RES ARRAY 4 RES 330 OHM 8SIP | 4608M-102-331LF.pdf | |
![]() | IP-2T4-CU | IP-2T4-CU IP SMD or Through Hole | IP-2T4-CU.pdf | |
![]() | S5C-00030 | S5C-00030 Microsoft QFN | S5C-00030.pdf | |
![]() | SST28VF040A-120-4C-EH | SST28VF040A-120-4C-EH SST TSOP-32 | SST28VF040A-120-4C-EH.pdf | |
![]() | DP8228MJ-MIL | DP8228MJ-MIL NS DIP28 | DP8228MJ-MIL.pdf | |
![]() | AHK4280DR-3-T1-E3 | AHK4280DR-3-T1-E3 ORIGINAL SC70JW-8 | AHK4280DR-3-T1-E3.pdf | |
![]() | RE102BM | RE102BM MICREL SMD-8 | RE102BM.pdf | |
![]() | DR3101 | DR3101 RFM SMD or Through Hole | DR3101.pdf | |
![]() | ABS0364A10S | ABS0364A10S ORIGINAL SMD or Through Hole | ABS0364A10S.pdf | |
![]() | RLR05C9101GSB14 | RLR05C9101GSB14 VISHAY SMD or Through Hole | RLR05C9101GSB14.pdf |