창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VP1008B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VP0808B/L/M,VP1008B/L/M | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 설계/사양 | Wire Bond 01/Jul/2016 | |
PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 790mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 6.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-39 | |
표준 포장 | 100 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VP1008B | |
관련 링크 | VP10, VP1008B 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
515D109M016FV6AE3 | 10000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 515D109M016FV6AE3.pdf | ||
1812WC102KAT1AJ | 1000pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812WC102KAT1AJ.pdf | ||
12BFGHA31.5 | FUSE 12KV 31.5AMP 3" AIR | 12BFGHA31.5.pdf | ||
PE-0201CC6N2JTT | 6.2nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 380 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | PE-0201CC6N2JTT.pdf | ||
PI74FCT573TPA | PI74FCT573TPA PERICOM SOP20 | PI74FCT573TPA.pdf | ||
MUN5312DW1 | MUN5312DW1 MOTO SOT363 | MUN5312DW1.pdf | ||
REA010M2ABK-0511 | REA010M2ABK-0511 ORIGINAL SMD or Through Hole | REA010M2ABK-0511.pdf | ||
FX8C-100S-SV | FX8C-100S-SV HIROSE SMD or Through Hole | FX8C-100S-SV.pdf | ||
52437-0692 | 52437-0692 MOLEX PCS | 52437-0692.pdf | ||
SP8M3(TB) | SP8M3(TB) ROHM SOP8 | SP8M3(TB).pdf | ||
D6108C010 | D6108C010 NEC DIP | D6108C010.pdf | ||
FYD0H474Z | FYD0H474Z NEC DIP | FYD0H474Z.pdf |