창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VP0808L-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VP0808 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 280mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VP0808L-G | |
| 관련 링크 | VP080, VP0808L-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | BZX384B4V7-HE3-18 | DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323 | BZX384B4V7-HE3-18.pdf | |
![]() | 4114R-2-470LF | RES ARRAY 13 RES 47 OHM 14DIP | 4114R-2-470LF.pdf | |
| RSMF2JB180R | RES METAL OX 2W 180 OHM 5% AXL | RSMF2JB180R.pdf | ||
![]() | CMF55432R00DHEB | RES 432 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55432R00DHEB.pdf | |
![]() | 74ALV04PW | 74ALV04PW PH SMD | 74ALV04PW.pdf | |
![]() | LFEC20E4F484C-3I | LFEC20E4F484C-3I LATTICE BGA | LFEC20E4F484C-3I.pdf | |
![]() | MMZ1608S10+2ATA00 | MMZ1608S10+2ATA00 TDK SMD or Through Hole | MMZ1608S10+2ATA00.pdf | |
![]() | 849070076 | 849070076 Molex SMD or Through Hole | 849070076.pdf | |
![]() | CR80P100BN18S/BN | CR80P100BN18S/BN CRESCENT SOP | CR80P100BN18S/BN.pdf | |
![]() | MJE13003/J3303 | MJE13003/J3303 F EX1 | MJE13003/J3303.pdf | |
![]() | S3K SMC | S3K SMC ORIGINAL SMD or Through Hole | S3K SMC.pdf | |
![]() | PE5557A | PE5557A PIONEER QFP | PE5557A.pdf |