창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VP0808B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VP0808B/L/M,VP1008B/L/M | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 설계/사양 | Wire Bond 01/Jul/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 880mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 6.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-39 | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VP0808B | |
| 관련 링크 | VP08, VP0808B 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 1.5SMC220AHE3/57T | TVS DIODE 185VWM 328VC DO214AB | 1.5SMC220AHE3/57T.pdf | |
![]() | RG1608V-2800-W-T5 | RES SMD 280 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608V-2800-W-T5.pdf | |
![]() | CMF507K8700FKR6 | RES 7.87K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF507K8700FKR6.pdf | |
![]() | 06033A102J | 06033A102J AVX SMD or Through Hole | 06033A102J.pdf | |
![]() | L6358D | L6358D ST SOP8 | L6358D.pdf | |
![]() | K5E5657ACB-D075 | K5E5657ACB-D075 SAMSUNG BGA | K5E5657ACB-D075.pdf | |
![]() | TOTX179PFT | TOTX179PFT tosh SMD or Through Hole | TOTX179PFT.pdf | |
![]() | SMZ3522 | SMZ3522 EIC SOD-123FL | SMZ3522.pdf | |
![]() | SD215DE/R | SD215DE/R ORIGINAL CAN4 | SD215DE/R.pdf | |
![]() | 71609A-310A | 71609A-310A FCI con | 71609A-310A.pdf | |
![]() | SS-12G18 | SS-12G18 DSL SMD or Through Hole | SS-12G18.pdf | |
![]() | S-1711C2515-M6T1U | S-1711C2515-M6T1U Seiko SMD or Through Hole | S-1711C2515-M6T1U.pdf |