창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VP0808B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VP0808B/L/M,VP1008B/L/M | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 설계/사양 | Wire Bond 01/Jul/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 880mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 6.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-39 | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VP0808B | |
| 관련 링크 | VP08, VP0808B 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CBR06C189C1GAC | 1.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CBR06C189C1GAC.pdf | |
![]() | EXB-24V912JX | RES ARRAY 2 RES 9.1K OHM 0404 | EXB-24V912JX.pdf | |
![]() | B6B-PH-SM4-TB(LF)( | B6B-PH-SM4-TB(LF)( JST Connection | B6B-PH-SM4-TB(LF)(.pdf | |
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![]() | CDCR61APWR | CDCR61APWR TI TSSOP-16 | CDCR61APWR.pdf | |
![]() | AM93415PC | AM93415PC AMD SMD or Through Hole | AM93415PC.pdf | |
![]() | TC2185-3.3VCTTR. | TC2185-3.3VCTTR. MICROCHIP SMD or Through Hole | TC2185-3.3VCTTR..pdf | |
![]() | MCR10EZHEF75R0 | MCR10EZHEF75R0 ROHM SMD or Through Hole | MCR10EZHEF75R0.pdf | |
![]() | EM77F900 | EM77F900 ORIGINAL SMD or Through Hole | EM77F900.pdf | |
![]() | W9812G2IB | W9812G2IB WINBOND TSOP | W9812G2IB.pdf | |
![]() | PC3SH21YFZA | PC3SH21YFZA SHARP SMD or Through Hole | PC3SH21YFZA.pdf |