창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VP0808B-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VP0808B/L/M,VP1008B/L/M | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 설계/사양 | Wire Bond 01/Jul/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 880mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 6.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-39 | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VP0808B-E3 | |
| 관련 링크 | VP0808, VP0808B-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CPF0603F3R83C1 | RES SMD 3.83 OHM 1% 1/16W 0603 | CPF0603F3R83C1.pdf | |
![]() | 2SC5449 | 2SC5449 ORIGINAL TO-3P | 2SC5449.pdf | |
![]() | SMF05TC | SMF05TC ST SOT353 | SMF05TC.pdf | |
![]() | STR-W6253M | STR-W6253M STR DIP-5 | STR-W6253M.pdf | |
![]() | TA8841 | TA8841 ORIGINAL IC | TA8841.pdf | |
![]() | HMC288MS8TR | HMC288MS8TR HITTITE MSOP8 | HMC288MS8TR.pdf | |
![]() | STBB5E5 | STBB5E5 EICSEMI SMD or Through Hole | STBB5E5.pdf | |
![]() | F881AE182J300C | F881AE182J300C KEMET SMD or Through Hole | F881AE182J300C.pdf | |
![]() | 2SA1380E | 2SA1380E ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SA1380E.pdf | |
![]() | R5C592-CSP265B | R5C592-CSP265B RICOH BGA | R5C592-CSP265B.pdf | |
![]() | UMD6 / D6 | UMD6 / D6 ROHM SOT-363 | UMD6 / D6.pdf | |
![]() | SST55LD019M-45-C-MVW | SST55LD019M-45-C-MVW SST QFP | SST55LD019M-45-C-MVW.pdf |