창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VP0550N3-G-P013 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VP0550 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Site Chg 20/Jan/2016 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 54mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125옴 @ 10mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 70pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VP0550N3-G-P013 | |
관련 링크 | VP0550N3-, VP0550N3-G-P013 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
MCR10EZPJ132 | RES SMD 1.3K OHM 5% 1/8W 0805 | MCR10EZPJ132.pdf | ||
Y17461K00000Q5R | RES SMD 1K OHM 0.02% 0.6W J LEAD | Y17461K00000Q5R.pdf | ||
CMF5553K600FHEB | RES 53.6K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5553K600FHEB.pdf | ||
LF8728 | LF8728 DELTA SOP | LF8728.pdf | ||
IDT83905AMLF | IDT83905AMLF IDT SMD or Through Hole | IDT83905AMLF.pdf | ||
S5M07 | S5M07 TOSHIBA SMD or Through Hole | S5M07.pdf | ||
YG862C10 | YG862C10 FUJI 220F | YG862C10.pdf | ||
LTE-3271T-A1 | LTE-3271T-A1 LITEON ROHS | LTE-3271T-A1.pdf | ||
G12V13AH10EPX | G12V13AH10EPX MAXIM QFN | G12V13AH10EPX.pdf | ||
CFWCA450KeFAR0 | CFWCA450KeFAR0 murata//searchalkonnet/cgi-bin/pdfpl CFWCA450KeFA-R0 l11 5 6 5WH3 | CFWCA450KeFAR0.pdf | ||
QL2009-1 | QL2009-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | QL2009-1.pdf | ||
ZM663EYS | ZM663EYS SIS QFP | ZM663EYS.pdf |