창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VOS617A-7X001T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VOS617A Option Information | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Opto Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 3750Vrms | |
| 전류 전달비(최소) | 80% @ 5mA | |
| 전류 전달비(최대) | 160% @ 5mA | |
| 턴온/턴오프(통상) | 6µs, 4µs | |
| 상승/하강 시간(통상) | 3µs, 3µs | |
| 입력 유형 | DC | |
| 출력 유형 | 트랜지스터 | |
| 전압 - 출력(최대) | 80V | |
| 전류 - 출력/채널 | 50mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.18V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 50mA | |
| Vce 포화(최대) | 400mV | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 110°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SOIC(0.173", 4.40mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 4-SSOP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VOS617A-7X001T | |
| 관련 링크 | VOS617A-, VOS617A-7X001T 데이터 시트, Vishay Semiconductor Opto Division 에이전트 유통 | |
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![]() | 402F3841XIJT | 38.4MHz ±10ppm 수정 9pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F3841XIJT.pdf | |
![]() | RG3216P-5103-B-T5 | RES SMD 510K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-5103-B-T5.pdf | |
![]() | J327--252 | J327--252 TOSHIBA TO-252 | J327--252.pdf | |
![]() | XG | XG TOSHIBA SOT23-3 | XG.pdf | |
![]() | TC58DVG02A1TGOO | TC58DVG02A1TGOO TOSHIBA TSOP48 | TC58DVG02A1TGOO.pdf | |
![]() | S80145ALMCJA6T2G | S80145ALMCJA6T2G seiko SMD or Through Hole | S80145ALMCJA6T2G.pdf | |
![]() | ADU7301AKST | ADU7301AKST AD SMD or Through Hole | ADU7301AKST.pdf | |
![]() | CARR | CARR CATALYST MSOP-8 | CARR.pdf | |
![]() | 1N1203R | 1N1203R IR SMD or Through Hole | 1N1203R.pdf | |
![]() | MBI5024GP. | MBI5024GP. ORIGINAL SSOP24 | MBI5024GP..pdf | |
![]() | MAX6406BS27-T | MAX6406BS27-T MAX SMD or Through Hole | MAX6406BS27-T.pdf |