창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VN2450N8-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VN2450 | |
| PCN 설계/사양 | Die Attach Material Update 26/Aug/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Addition 06/Apr/2015 Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 250mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13옴 @ 400mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-243AA(SOT-89) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VN2450N8-G | |
| 관련 링크 | VN2450, VN2450N8-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | B32529C3472J | 4700pF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.287" L x 0.098" W (7.30mm x 2.50mm) | B32529C3472J.pdf | |
![]() | MP1-3Q-3Q-4LE-30 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP1-3Q-3Q-4LE-30.pdf | |
![]() | 91SS16-3 | SENSOR HALL EFFECT LINEAR PCB | 91SS16-3.pdf | |
![]() | 13M5 | 13M5 ORIGINAL QFN | 13M5.pdf | |
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![]() | BZT52C3V6W4 | BZT52C3V6W4 ORIGINAL SOD-1206 | BZT52C3V6W4.pdf | |
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![]() | 95PF140W | 95PF140W IR SMD or Through Hole | 95PF140W.pdf | |
![]() | NT5GJQ | NT5GJQ N/A DIP | NT5GJQ.pdf | |
![]() | HD6432635UA80FJ | HD6432635UA80FJ RENESAS QFP128 | HD6432635UA80FJ.pdf | |
![]() | CWR1277C-680M | CWR1277C-680M SAGAMI SMD | CWR1277C-680M.pdf | |
![]() | DG5042CJ | DG5042CJ SIL DIP | DG5042CJ.pdf |