창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VN2106N3-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VN2106 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VN2106N3-G | |
관련 링크 | VN2106, VN2106N3-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
GNM1M2R71C104MA01D | 0.1µF Isolated Capacitor 2 Array 16V X7R 0504 (1410 Metric) 0.054" L x 0.039" W (1.37mm x 1.00mm) | GNM1M2R71C104MA01D.pdf | ||
KTR03EZPJ124 | RES SMD 120K OHM 5% 1/10W 0603 | KTR03EZPJ124.pdf | ||
TNPW1206309KBETA | RES SMD 309K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206309KBETA.pdf | ||
TSCSNNN060PGUCV | Pressure Sensor 60 PSI (413.69 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 30 mV (5V) 4-SIP Module | TSCSNNN060PGUCV.pdf | ||
93C46PI27 | 93C46PI27 ATMEL DIP | 93C46PI27.pdf | ||
LM2575M-5.0/NOPB | LM2575M-5.0/NOPB ORIGINAL SMD or Through Hole | LM2575M-5.0/NOPB.pdf | ||
LELEMC2520T100 | LELEMC2520T100 TAIYOYUD SMD or Through Hole | LELEMC2520T100.pdf | ||
S-80832CNNB | S-80832CNNB SEIKO SOT143 | S-80832CNNB.pdf | ||
EG-2103CA 210MHZ | EG-2103CA 210MHZ EPSON SMD or Through Hole | EG-2103CA 210MHZ.pdf | ||
RF3225TR13 | RF3225TR13 RFMD SMD or Through Hole | RF3225TR13.pdf | ||
1SV241-TE | 1SV241-TE SANYO SOT23-5 | 1SV241-TE.pdf |