창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VN10LP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VN10LPSTZ | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 270mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 625mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | FVN10LP | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VN10LP | |
관련 링크 | VN1, VN10LP 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
OMIH-SH-112L1,300 | RELAY GEN PURP | OMIH-SH-112L1,300.pdf | ||
CRCW060351K0JNEAHP | RES SMD 51K OHM 5% 1/4W 0603 | CRCW060351K0JNEAHP.pdf | ||
AO9926AL | AO9926AL ALPHA SMD or Through Hole | AO9926AL.pdf | ||
182921-1 | 182921-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 182921-1.pdf | ||
MM54C04J-MIL | MM54C04J-MIL NS DIP-14 | MM54C04J-MIL.pdf | ||
3CN00660EM | 3CN00660EM ORIGINAL MODULE | 3CN00660EM.pdf | ||
EMP2133 | EMP2133 EMP SOT23-6 | EMP2133.pdf | ||
85314AGI-11LF | 85314AGI-11LF IDT SMD or Through Hole | 85314AGI-11LF.pdf | ||
SSTV01-T1-E3 | SSTV01-T1-E3 VISHAY SOP-8 | SSTV01-T1-E3.pdf | ||
LDEID3120KA0N00 | LDEID3120KA0N00 ARCOTRONI SMD | LDEID3120KA0N00.pdf | ||
LTL87HTBKP1 | LTL87HTBKP1 LITEON ROHS | LTL87HTBKP1.pdf | ||
745951010 | 745951010 Molex NA | 745951010.pdf |