창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VN10LP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VN10LPSTZ | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 270mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 625mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | FVN10LP | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VN10LP | |
관련 링크 | VN1, VN10LP 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
RT1210CRD07442KL | RES SMD 442K OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD07442KL.pdf | ||
CMF552K4300FEBF | RES 2.43K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552K4300FEBF.pdf | ||
TMP47C637NU714 | TMP47C637NU714 ORION DIP42 | TMP47C637NU714.pdf | ||
26MHZ FA365 | 26MHZ FA365 EPSON FA-365 | 26MHZ FA365.pdf | ||
VN5E025AE | VN5E025AE ST HSSOP12 | VN5E025AE.pdf | ||
BAP50-03 TEL:82766440 | BAP50-03 TEL:82766440 NXP SOT23 | BAP50-03 TEL:82766440.pdf | ||
TK71529ASCL | TK71529ASCL TOKO SMD or Through Hole | TK71529ASCL.pdf | ||
0331A | 0331A ORIGINAL SMD or Through Hole | 0331A.pdf | ||
S1X55933F00B000 | S1X55933F00B000 EPSON QFP | S1X55933F00B000.pdf | ||
QTBMS4-0836002T | QTBMS4-0836002T TDK SMD or Through Hole | QTBMS4-0836002T.pdf | ||
16817-02 | 16817-02 ORIGINAL DIP-8 | 16817-02.pdf | ||
B66232A1114T001 | B66232A1114T001 epcos SMD or Through Hole | B66232A1114T001.pdf |