창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VN0808L-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VN0808 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VN0808L-G | |
| 관련 링크 | VN080, VN0808L-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | 865250543005 | 22µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | 865250543005.pdf | |
![]() | SM6T7V5CAY | TVS DIODE 6.4VWM 14.5VC SMB | SM6T7V5CAY.pdf | |
![]() | M19500/521 | M19500/521 MSC SMD or Through Hole | M19500/521.pdf | |
![]() | AATR498 | AATR498 N/A MSOP8 | AATR498.pdf | |
![]() | XC3130APC84-2C | XC3130APC84-2C XILINX PLCC | XC3130APC84-2C.pdf | |
![]() | LCE51 | LCE51 ORIGINAL DO-201 | LCE51.pdf | |
![]() | STLC3075Q | STLC3075Q st QFP | STLC3075Q.pdf | |
![]() | ICS844441DGILF | ICS844441DGILF IDT TSSOP16 | ICS844441DGILF.pdf | |
![]() | DG418DJ-E3 | DG418DJ-E3 SIX SMD or Through Hole | DG418DJ-E3.pdf | |
![]() | 160mm/24P(0.5) B | 160mm/24P(0.5) B ORIGINAL SMD or Through Hole | 160mm/24P(0.5) B.pdf | |
![]() | BT885KHF110 | BT885KHF110 BT SMD or Through Hole | BT885KHF110.pdf |