창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VN0606L-G-P003 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VN0606 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 330mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VN0606L-G-P003 | |
관련 링크 | VN0606L-, VN0606L-G-P003 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
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![]() | 0201YA2R2BAT2A | 2.2pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 0201YA2R2BAT2A.pdf | |
![]() | CR1206-JW-915ELF | RES SMD 9.1M OHM 5% 1/4W 1206 | CR1206-JW-915ELF.pdf | |
![]() | CRCW060380K6FKEAHP | RES SMD 80.6K OHM 1% 1/4W 0603 | CRCW060380K6FKEAHP.pdf | |
![]() | TB1-225 12VDC | TB1-225 12VDC ORIGINAL DIP | TB1-225 12VDC.pdf | |
![]() | SMF20A-GS18 | SMF20A-GS18 VISHAY SMF | SMF20A-GS18.pdf | |
![]() | MX7225LCWG | MX7225LCWG MAX SOP24 | MX7225LCWG.pdf | |
![]() | K6F1616U6C-XF50 | K6F1616U6C-XF50 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6F1616U6C-XF50.pdf | |
![]() | TX5-60P-D2ST-MH1E | TX5-60P-D2ST-MH1E JAE SMD or Through Hole | TX5-60P-D2ST-MH1E.pdf | |
![]() | MAX1639ESE+T | MAX1639ESE+T MAXIM SOP-16 | MAX1639ESE+T.pdf | |
![]() | TSW11605TS | TSW11605TS SAMTE SMD or Through Hole | TSW11605TS.pdf | |
![]() | TORX1952(F) | TORX1952(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TORX1952(F).pdf |