창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VN0550N3-G-P013 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VN0550 | |
PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Addition 06/Apr/2015 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60옴 @ 50mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 55pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VN0550N3-G-P013 | |
관련 링크 | VN0550N3-, VN0550N3-G-P013 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
C0603C563J4RACTU | 0.056µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C563J4RACTU.pdf | ||
HM62-28154R7MLFTR | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 190 mOhm Max Nonstandard | HM62-28154R7MLFTR.pdf | ||
KTR03EZPF3303 | RES SMD 330K OHM 1% 1/10W 0603 | KTR03EZPF3303.pdf | ||
6800-G3-HP-B1 | 6800-G3-HP-B1 NVIDIA BGA | 6800-G3-HP-B1.pdf | ||
1623-3685 | 1623-3685 SONY HZIP23 | 1623-3685.pdf | ||
TLC5733I | TLC5733I TI QFP | TLC5733I.pdf | ||
CZTA14TA | CZTA14TA ZETEX SOT-223 | CZTA14TA.pdf | ||
ST9520 | ST9520 ST QFP | ST9520.pdf | ||
H4008DG | H4008DG M-TEK SMD or Through Hole | H4008DG.pdf | ||
B14L | B14L ORIGINAL SOT23-5 | B14L.pdf | ||
LST905LE | LST905LE LST QFP | LST905LE.pdf | ||
FQP22P10C | FQP22P10C FSC TO-220 | FQP22P10C.pdf |