창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VLZ3V0A-GS18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VLZ Series | |
PCN 단종/ EOL | EOL 21/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.96V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 70옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-80 변형 | |
공급 장치 패키지 | SOD-80 QuadroMELF | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VLZ3V0A-GS18 | |
관련 링크 | VLZ3V0A, VLZ3V0A-GS18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
784773018 | 1.8µH Unshielded Wirewound Inductor 2.7A 64 mOhm Max Nonstandard | 784773018.pdf | ||
![]() | FRONT-MC1 | FRONT-MC1 PHOENIXCONTACT SMD or Through Hole | FRONT-MC1.pdf | |
![]() | K4R271669H-DCS8T00 | K4R271669H-DCS8T00 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4R271669H-DCS8T00.pdf | |
![]() | M430FG439REV | M430FG439REV TI TQFP80 | M430FG439REV.pdf | |
![]() | 216M0SEASA81(MOBILITY-M0) | 216M0SEASA81(MOBILITY-M0) ORIGINAL BGA(16M) | 216M0SEASA81(MOBILITY-M0).pdf | |
![]() | STPS40L45CT19 | STPS40L45CT19 ST TO220 | STPS40L45CT19.pdf | |
![]() | CPC7820M12 | CPC7820M12 CEINA QFN32 | CPC7820M12.pdf | |
![]() | EUA5312 | EUA5312 EUATECH EUA5312 | EUA5312.pdf | |
![]() | AP05L1GP | AP05L1GP FAI SOP | AP05L1GP.pdf | |
![]() | 54-D-C | 54-D-C ON DIP-8 | 54-D-C.pdf | |
![]() | N1132NC320 | N1132NC320 WESTCODE SMD or Through Hole | N1132NC320.pdf | |
![]() | NRELS102M50V16X21F | NRELS102M50V16X21F NICCOMP DIP | NRELS102M50V16X21F.pdf |