창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VJ0805D3R0CLPAC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VJ Series, HIFREQ | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Vishay Vitramon | |
| 계열 | VJ HIFREQ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 3pF | |
| 허용 오차 | ±0.25pF | |
| 전압 - 정격 | 250V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.057"(1.45mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VJ0805D3R0CLPAC | |
| 관련 링크 | VJ0805D3R, VJ0805D3R0CLPAC 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C1005CH1H060D050BA | 6pF 50V 세라믹 커패시터 CH 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005CH1H060D050BA.pdf | |
| NRS5012T4R7MMGFV | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 216 mOhm Max Nonstandard | NRS5012T4R7MMGFV.pdf | ||
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![]() | TNPW060326K7BEEA | RES SMD 26.7KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060326K7BEEA.pdf | |
![]() | Y118913K8090TR13L | RES 13.809KOHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y118913K8090TR13L.pdf | |
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![]() | M51361P | M51361P MITSUBISHI 14-DIP | M51361P.pdf | |
![]() | ES5107AE-RCPL | ES5107AE-RCPL ORIGINAL DIP | ES5107AE-RCPL.pdf | |
![]() | EM28028CG | EM28028CG MICRO TQFP | EM28028CG.pdf | |
![]() | k4j52324qe-bc14 GDDR3 512m | k4j52324qe-bc14 GDDR3 512m SAM SMD or Through Hole | k4j52324qe-bc14 GDDR3 512m.pdf | |
![]() | EC11EH124404、EC11EH224404 | EC11EH124404、EC11EH224404 ALPS SMD or Through Hole | EC11EH124404、EC11EH224404.pdf | |
![]() | WR04X7320FTL | WR04X7320FTL ORIGINAL SMD or Through Hole | WR04X7320FTL.pdf |