창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VJ0603D301KLAAR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VJ Series, HIFREQ | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Vishay Vitramon | |
| 계열 | VJ HIFREQ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 300pF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.037"(0.94mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VJ0603D301KLAAR | |
| 관련 링크 | VJ0603D30, VJ0603D301KLAAR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | MM3Z6V8ST1G | DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323 | MM3Z6V8ST1G.pdf | |
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![]() | HMT325S6BFR8C-H9N0 (DDR3 2G/1333 SODIMM) | HMT325S6BFR8C-H9N0 (DDR3 2G/1333 SODIMM) HYNIX SMD or Through Hole | HMT325S6BFR8C-H9N0 (DDR3 2G/1333 SODIMM).pdf | |
![]() | K5D12121CC-A075000 | K5D12121CC-A075000 SAMSUNG SMD or Through Hole | K5D12121CC-A075000.pdf | |
![]() | SS1C225M04007PC380 | SS1C225M04007PC380 SAMWHA SMD or Through Hole | SS1C225M04007PC380.pdf | |
![]() | QH01121-HWK-4F | QH01121-HWK-4F FOXCONN SMD or Through Hole | QH01121-HWK-4F.pdf |