창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VJ0603D1R9DLBAP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VJ Series, HIFREQ | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Vishay Vitramon | |
| 계열 | VJ HIFREQ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1.9pF | |
| 허용 오차 | ±0.5pF | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.037"(0.94mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VJ0603D1R9DLBAP | |
| 관련 링크 | VJ0603D1R, VJ0603D1R9DLBAP 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CGA5L3X7R1H475M160AB | 4.7µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5L3X7R1H475M160AB.pdf | |
![]() | AISR-01-822J | 8.2mH Shielded Wirewound Inductor 30mA 10.4 Ohm Max Radial | AISR-01-822J.pdf | |
![]() | TNPU060346K4BZEN00 | RES SMD 46.4KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPU060346K4BZEN00.pdf | |
![]() | 5745781-2 | 5745781-2 ORIGINAL NA | 5745781-2.pdf | |
![]() | S29AL008D70BFI020# | S29AL008D70BFI020# SPANSION SMD or Through Hole | S29AL008D70BFI020#.pdf | |
![]() | M120JC | M120JC MARUWA SMD or Through Hole | M120JC.pdf | |
![]() | DF18C-80DP-0.4V(51) | DF18C-80DP-0.4V(51) ORIGINAL SMD or Through Hole | DF18C-80DP-0.4V(51).pdf | |
![]() | ADP3500X-1.2 | ADP3500X-1.2 AD SMD or Through Hole | ADP3500X-1.2.pdf | |
![]() | M464S3254EUS-L7A | M464S3254EUS-L7A SAMSUNG SMD or Through Hole | M464S3254EUS-L7A.pdf | |
![]() | TM-057C | TM-057C TM SIP21 | TM-057C.pdf | |
![]() | TC4013BPFNSM | TC4013BPFNSM Toshiba SMD or Through Hole | TC4013BPFNSM.pdf | |
![]() | ESR10EZPD1002 | ESR10EZPD1002 ROHM SMD or Through Hole | ESR10EZPD1002.pdf |