창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VI-BNZ-CW | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | VI-BNZ-CW | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | MODULE | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | VI-BNZ-CW | |
| 관련 링크 | VI-BN, VI-BNZ-CW 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C689K4GACTU | 6.8pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C689K4GACTU.pdf | |
![]() | 1.5KE27CA-E3/73 | TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC 1.5KE | 1.5KE27CA-E3/73.pdf | |
![]() | FH4000074Z | 40MHz ±10ppm 수정 8pF 30옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FH4000074Z.pdf | |
![]() | SQ4410EY-T1_GE3 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC | SQ4410EY-T1_GE3.pdf | |
![]() | MFR-25FBF52-243K | RES 243K OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FBF52-243K.pdf | |
![]() | BS-A324RD | BS-A324RD BRT SMD or Through Hole | BS-A324RD.pdf | |
![]() | ty3-g1s-n66-bk | ty3-g1s-n66-bk hel SMD or Through Hole | ty3-g1s-n66-bk.pdf | |
![]() | 3W180-220LM | 3W180-220LM ORIGINAL SMD or Through Hole | 3W180-220LM.pdf | |
![]() | CAT9557HV6I-GT2 | CAT9557HV6I-GT2 ON QFN-16 | CAT9557HV6I-GT2.pdf | |
![]() | CL10C221JBBNNNC | CL10C221JBBNNNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10C221JBBNNNC.pdf | |
![]() | SAT39VF512-70-4C-N | SAT39VF512-70-4C-N SST PLCC | SAT39VF512-70-4C-N.pdf | |
![]() | DS90CR214MTO | DS90CR214MTO NS SMD | DS90CR214MTO.pdf |