창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VI-B7R-EV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | VI-B7R-EV | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | VI-B7R-EV | |
| 관련 링크 | VI-B7, VI-B7R-EV 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | EET-UQ2V391CA | 390µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 510 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | EET-UQ2V391CA.pdf | |
![]() | 416F4801XAST | 48MHz ±10ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F4801XAST.pdf | |
![]() | HCNW136 | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 8-DIP | HCNW136.pdf | |
![]() | TEESVD1C336M12R | TEESVD1C336M12R NEC SMD | TEESVD1C336M12R.pdf | |
![]() | TEPSLC1A476M12R 10V47UF-C | TEPSLC1A476M12R 10V47UF-C NEC SMD or Through Hole | TEPSLC1A476M12R 10V47UF-C.pdf | |
![]() | 28F016B3TA | 28F016B3TA INTEL BGA | 28F016B3TA.pdf | |
![]() | NC4ED-P-DC100V | NC4ED-P-DC100V NAIS SMD or Through Hole | NC4ED-P-DC100V.pdf | |
![]() | SFAEB836MAL0F00R1S | SFAEB836MAL0F00R1S MURATA 1KR | SFAEB836MAL0F00R1S.pdf | |
![]() | BR24C16FJ-WE2 | BR24C16FJ-WE2 ROHM SOP | BR24C16FJ-WE2.pdf | |
![]() | 146877-3 | 146877-3 TYCO/AMP SMD or Through Hole | 146877-3.pdf | |
![]() | PVM-16V390ME60-R | PVM-16V390ME60-R ELNA SMD | PVM-16V390ME60-R.pdf |