창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-VE3-35V100MD55-R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | VE3-35V100MD55-R | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | VE3-35V100MD55-R | |
관련 링크 | VE3-35V10, VE3-35V100MD55-R 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | C0603C0G1E020B030BF | 2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603C0G1E020B030BF.pdf | |
![]() | B32911A5682K000 | 6800pF Film Capacitor 530V 1000V (1kV) Polypropylene (PP) Radial 0.512" L x 0.197" W (13.00mm x 5.00mm) | B32911A5682K000.pdf | |
![]() | ABM8AIG-13.560MHZ-12-2-T3 | 13.56MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8AIG-13.560MHZ-12-2-T3.pdf | |
![]() | 416F370X2CTR | 37MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370X2CTR.pdf | |
![]() | GBU10M | DIODE BRIDGE 1000V 10A GBU | GBU10M.pdf | |
![]() | CMF5551R100FKEA | RES 51.1 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5551R100FKEA.pdf | |
![]() | 3MB12 | 3MB12 ORIGINAL BGA | 3MB12.pdf | |
![]() | 18f4585 | 18f4585 microchip mic | 18f4585.pdf | |
![]() | TNR40MGB27-T | TNR40MGB27-T NIPPON SMD or Through Hole | TNR40MGB27-T.pdf | |
![]() | SM2321 R7 | SM2321 R7 AUK SMD or Through Hole | SM2321 R7.pdf | |
![]() | IP100LF | IP100LF IC SMD or Through Hole | IP100LF.pdf | |
![]() | MX7672KP03 | MX7672KP03 MAXIM PLCC | MX7672KP03.pdf |