창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VE-J1B-IX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | VE-J1B-IX | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | VE-J1B-IX | |
| 관련 링크 | VE-J1, VE-J1B-IX 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C1812C822J1GACTU | 8200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C822J1GACTU.pdf | |
![]() | VJ1825A103JBCAT4X | 10000pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A103JBCAT4X.pdf | |
![]() | TN2540N3-G-P002 | MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3 | TN2540N3-G-P002.pdf | |
![]() | BUZ103SE3045 | BUZ103SE3045 Infineon TO-263AB | BUZ103SE3045.pdf | |
![]() | TLC5618IDR | TLC5618IDR ORIGINAL SOP8 | TLC5618IDR.pdf | |
![]() | LH28F800SGB-L10 | LH28F800SGB-L10 SHARP SMD or Through Hole | LH28F800SGB-L10.pdf | |
![]() | MC10ELT21DR2(HLT21) | MC10ELT21DR2(HLT21) ON SOP8 | MC10ELT21DR2(HLT21).pdf | |
![]() | L1A0946 | L1A0946 LSI PLCC84 | L1A0946.pdf | |
![]() | DX-RR26S-350C-TB | DX-RR26S-350C-TB JST SMD or Through Hole | DX-RR26S-350C-TB.pdf | |
![]() | 2211837000705112-RAA | 2211837000705112-RAA ORIGINAL SMD or Through Hole | 2211837000705112-RAA.pdf | |
![]() | SKT431/04E | SKT431/04E ORIGINAL SMD or Through Hole | SKT431/04E.pdf | |
![]() | 390 PH | 390 PH PHILIPS SOD81 | 390 PH.pdf |