창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VDZT2R8.2B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VDZ8.2B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | VMD2 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | VDZT2R8.2B-ND VDZT2R8.2BTR VDZT2R82B | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VDZT2R8.2B | |
| 관련 링크 | VDZT2R, VDZT2R8.2B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GLP10-470M | GLP10-470M ORIGINAL SMD or Through Hole | GLP10-470M.pdf | |
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![]() | EFOSS4914E5 | EFOSS4914E5 ORIGINAL SMD or Through Hole | EFOSS4914E5.pdf | |
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![]() | CMS18 (TE12L,Q) | CMS18 (TE12L,Q) TOSHIBA M-FLAT | CMS18 (TE12L,Q).pdf | |
![]() | NBX-10979 | NBX-10979 BUD SMD or Through Hole | NBX-10979.pdf |