창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VDZT2R30B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VDZ30B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±3% | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 23V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | VMD2 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | VDZT2R30B-ND VDZT2R30BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VDZT2R30B | |
| 관련 링크 | VDZT2, VDZT2R30B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F320X2CKT | 32MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F320X2CKT.pdf | |
![]() | SIT8918BA-22-33S-100.0000D | OSC XO 3.3V 100MHZ ST | SIT8918BA-22-33S-100.0000D.pdf | |
![]() | ERJ-S14J910U | RES SMD 91 OHM 5% 1/2W 1210 | ERJ-S14J910U.pdf | |
![]() | CAT24FC32AKI | CAT24FC32AKI CSI SOP | CAT24FC32AKI.pdf | |
![]() | 851050012 | 851050012 MOLEX SMD or Through Hole | 851050012.pdf | |
![]() | MC4066BCP | MC4066BCP MOT DIP | MC4066BCP.pdf | |
![]() | KM64B1003J-12 | KM64B1003J-12 SAMSUNG SOJ | KM64B1003J-12.pdf | |
![]() | 101D-RBCA-R | 101D-RBCA-R Attend SMD or Through Hole | 101D-RBCA-R.pdf | |
![]() | TPC377C08F03 | TPC377C08F03 FUTIJSU PLCC | TPC377C08F03.pdf | |
![]() | MPSA42(F) | MPSA42(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | MPSA42(F).pdf | |
![]() | 85AM | 85AM ORIGINAL TSSOP8 | 85AM.pdf | |
![]() | TC563002ECTTR | TC563002ECTTR MICROCHIP SMD or Through Hole | TC563002ECTTR.pdf |