창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VDZT2R3.9B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VDZ3.9B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±3% | |
전력 - 최대 | 100mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | VMD2 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | VDZT2R3.9B-ND VDZT2R3.9BTR VDZT2R39B | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VDZT2R3.9B | |
관련 링크 | VDZT2R, VDZT2R3.9B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
ECS-80-18-10 | 8MHz ±50ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | ECS-80-18-10.pdf | ||
RT0805BRD07432RL | RES SMD 432 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD07432RL.pdf | ||
H4475KBDA | RES 475K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4475KBDA.pdf | ||
RFP40N10_F102 | RFP40N10_F102 FairchildSemicond SMD or Through Hole | RFP40N10_F102.pdf | ||
IDT71016SA12PH | IDT71016SA12PH IDT SMD or Through Hole | IDT71016SA12PH.pdf | ||
S114-5 | S114-5 TELEDYNE SMD or Through Hole | S114-5.pdf | ||
79L05F | 79L05F TOSHIBA TO-89 | 79L05F.pdf | ||
HR60H41L | HR60H41L HANRUN SMD or Through Hole | HR60H41L.pdf | ||
X1422-V4 | X1422-V4 TI TQFP | X1422-V4.pdf | ||
LM35222 | LM35222 RaHheom DIP-8 | LM35222.pdf | ||
S-8253AAA-T8T1G | S-8253AAA-T8T1G SII/Seiko/ TSSOP-8 | S-8253AAA-T8T1G.pdf |