창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VDZT2R3.6B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VDZ3.6B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±3% | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | VMD2 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | VDZT2R3.6B-ND VDZT2R3.6BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VDZT2R3.6B | |
| 관련 링크 | VDZT2R, VDZT2R3.6B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C1812C824K1RACTU | 0.82µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C824K1RACTU.pdf | |
![]() | ASTMUPLPV-500.000MHZ-LY-E | 500MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 55mA Enable/Disable | ASTMUPLPV-500.000MHZ-LY-E.pdf | |
![]() | CRCW2010182KFKEF | RES SMD 182K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW2010182KFKEF.pdf | |
![]() | MSF4800S-20-0320-20-0600-10X-1 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800S-20-0320-20-0600-10X-1.pdf | |
![]() | TDA1013B | TDA1013B PHI ZIP9 | TDA1013B.pdf | |
![]() | UT21141 | UT21141 UMEC SMD or Through Hole | UT21141.pdf | |
![]() | 89-145 | 89-145 SELLERY SMD or Through Hole | 89-145.pdf | |
![]() | NTSMC-01 | NTSMC-01 NEC TQFP | NTSMC-01.pdf | |
![]() | A80486DX4WB100 SK096 | A80486DX4WB100 SK096 INTEL PGA | A80486DX4WB100 SK096.pdf | |
![]() | CL10T0R5CB8ANNNC | CL10T0R5CB8ANNNC SAMSUNG SMD | CL10T0R5CB8ANNNC.pdf | |
![]() | P4M800PRO/CD | P4M800PRO/CD VIA BGA | P4M800PRO/CD.pdf | |
![]() | 24LC128-I/MSG | 24LC128-I/MSG MICROCHIP SMD or Through Hole | 24LC128-I/MSG.pdf |