창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VDRS10P350TSE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VDRS.....E,2381 59. ... | |
| PCN 설계/사양 | Label Change 28/May/2015 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Vishay BC Components | |
| 계열 | VDRS | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 배리스터 전압 | 504V | |
| 배리스터 전압(통상) | 560V | |
| 배리스터 전압(최대) | 616V | |
| 전류 - 서지 | 2.5kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 350VAC | |
| 최대 DC 전압 | 460VDC | |
| 에너지 | 78J | |
| 패키지/케이스 | 12.50mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 2381 594 53516 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VDRS10P350TSE | |
| 관련 링크 | VDRS10P, VDRS10P350TSE 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F40613ASR | 40.61MHz ±10ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40613ASR.pdf | |
![]() | DM80-01-3-9100-3-LC | MOD LASER DWDM 8X50GHZ 120KM | DM80-01-3-9100-3-LC.pdf | |
![]() | RG2012N-7870-W-T1 | RES SMD 787 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-7870-W-T1.pdf | |
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![]() | IXA262JB1 | IXA262JB1 NEC DIP | IXA262JB1.pdf | |
![]() | PSB2197B | PSB2197B SDIMENS SOP | PSB2197B.pdf | |
![]() | MPXA1104S | MPXA1104S SANKEN SMD or Through Hole | MPXA1104S.pdf | |
![]() | 1HD23-001S-C32 | 1HD23-001S-C32 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1HD23-001S-C32.pdf | |
![]() | D8049H/AH | D8049H/AH INTEL DIP40 | D8049H/AH.pdf | |
![]() | 2507605-2 | 2507605-2 TI BGA | 2507605-2.pdf | |
![]() | MPC755CRX450LE | MPC755CRX450LE MOTOROLA BGA | MPC755CRX450LE.pdf | |
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