창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VCAS080512A250DP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TransGuard Automotive Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | AVX Corporation | |
| 계열 | TransGuard® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 배리스터 전압 | 13.6V | |
| 배리스터 전압(통상) | 16V | |
| 배리스터 전압(최대) | 18.4V | |
| 전류 - 서지 | 40A | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 8.5VAC | |
| 최대 DC 전압 | 12VDC | |
| 에너지 | 0.10J | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT), MLCV | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 478-8683-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VCAS080512A250DP | |
| 관련 링크 | VCAS08051, VCAS080512A250DP 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | NVMFS5C682NLWFT3G | MOSFET N-CH 60V SO8FL | NVMFS5C682NLWFT3G.pdf | |
![]() | LQP03TN2N3C02D | 2.3nH Unshielded Thin Film Inductor 500mA 200 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03TN2N3C02D.pdf | |
![]() | Y16248K00000T0R | RES SMD 8K OHM 0.01% 1/5W 0805 | Y16248K00000T0R.pdf | |
![]() | MFR-25FBF52-113K | RES 113K OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FBF52-113K.pdf | |
![]() | RR02J43RTB | RES 43.0 OHM 2W 5% AXIAL | RR02J43RTB.pdf | |
![]() | INA128U/2 | INA128U/2 BB SOP8 | INA128U/2.pdf | |
![]() | MAX208ECWG-T | MAX208ECWG-T MAXIM SMD or Through Hole | MAX208ECWG-T.pdf | |
![]() | K8P3215UQB-PI4B000 | K8P3215UQB-PI4B000 Samsung SMD or Through Hole | K8P3215UQB-PI4B000.pdf | |
![]() | 51-W4119C01 | 51-W4119C01 TOSHIBA SMD or Through Hole | 51-W4119C01.pdf | |
![]() | TD6382N/P | TD6382N/P TOSHIBA DIP | TD6382N/P.pdf | |
![]() | S-1111B21MC-NYG-TFG | S-1111B21MC-NYG-TFG SEIKO SOT23-5 | S-1111B21MC-NYG-TFG.pdf | |
![]() | XC3S1500FFG456 | XC3S1500FFG456 XILINK BGA | XC3S1500FFG456.pdf |