창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VBT5200-E3/8W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | V(B/F/I)T5200 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 5A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.6V @ 5A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 200V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VBT5200-E3/8W | |
| 관련 링크 | VBT5200, VBT5200-E3/8W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | HS50 50R J | RES CHAS MNT 50 OHM 5% 50W | HS50 50R J.pdf | |
![]() | ERA-3AEB910V | RES SMD 91 OHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB910V.pdf | |
![]() | CC430F5133IRGZR | IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz 300MHz ~ 348MHz, 389MHz ~ 464MHz, 779MHz ~ 928MHz 48-VFQFN Exposed Pad | CC430F5133IRGZR.pdf | |
![]() | M6MGT32BS8WG-ERICA | M6MGT32BS8WG-ERICA SOURCE BGA | M6MGT32BS8WG-ERICA.pdf | |
![]() | 102078-503 1303K | 102078-503 1303K LUCENT BGA | 102078-503 1303K.pdf | |
![]() | PAF600F280-12 HFP | PAF600F280-12 HFP LAMBDA SMD or Through Hole | PAF600F280-12 HFP.pdf | |
![]() | MB15C126PFVGBNDER | MB15C126PFVGBNDER FUJI SOP-8 | MB15C126PFVGBNDER.pdf | |
![]() | TSC80C31-16IB | TSC80C31-16IB TEMIC DIP | TSC80C31-16IB.pdf | |
![]() | 183078-1 | 183078-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 183078-1.pdf | |
![]() | BCM5714CKPB-P13 | BCM5714CKPB-P13 BROADCOM BGA | BCM5714CKPB-P13.pdf |