창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VBT2060C-M3/8W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VBT2060C-M3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | TMBS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 10A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 10A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 850µA @ 60V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VBT2060C-M3/8W | |
| 관련 링크 | VBT2060C, VBT2060C-M3/8W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | STF30N10F7 | MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP | STF30N10F7.pdf | |
![]() | HRG3216P-1200-B-T5 | RES SMD 120 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-1200-B-T5.pdf | |
![]() | PCI27C128-12/J | PCI27C128-12/J MICROCHIP DIP | PCI27C128-12/J.pdf | |
![]() | 4V 22UF P SYF-0G226M-RP | 4V 22UF P SYF-0G226M-RP ORIGINAL SMD or Through Hole | 4V 22UF P SYF-0G226M-RP.pdf | |
![]() | JRC79L24 | JRC79L24 ORIGINAL SMD or Through Hole | JRC79L24.pdf | |
![]() | SKD160/10 | SKD160/10 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKD160/10.pdf | |
![]() | V53C464P10 | V53C464P10 Vitelic DIP | V53C464P10.pdf | |
![]() | CDC3272G-C1 | CDC3272G-C1 MICRONAS QFP-128 | CDC3272G-C1.pdf | |
![]() | FB2040 (TI6647BR) | FB2040 (TI6647BR) ORIGINAL QFP52 | FB2040 (TI6647BR).pdf | |
![]() | PSC2.5VB820MHO8E9-E0 | PSC2.5VB820MHO8E9-E0 NIPPON DIP | PSC2.5VB820MHO8E9-E0.pdf | |
![]() | NCP1219PRINTGEVB | NCP1219PRINTGEVB ON SOP7 | NCP1219PRINTGEVB.pdf | |
![]() | FIN1218MTCX | FIN1218MTCX FAI TSSOP14 | FIN1218MTCX.pdf |