창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VBT1045BP-E3/8W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Packaging Information VT1045BP | |
제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | TMBS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
전류 -평균 정류(Io) | 10A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 680mV @ 10A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 45V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
작동 온도 - 접합 | 200°C(최대) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | VBT1045BP-E3/8WTR VBT1045BPE38W | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VBT1045BP-E3/8W | |
관련 링크 | VBT1045BP, VBT1045BP-E3/8W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | AIAP-02-120K | 12µH Unshielded Wirewound Inductor 3.6A 37 mOhm Max Axial | AIAP-02-120K.pdf | |
![]() | AFT-300 AFT | AFT-300 AFT AFT SMD or Through Hole | AFT-300 AFT.pdf | |
![]() | 100NF16V K 104 | 100NF16V K 104 ORIGINAL SMD or Through Hole | 100NF16V K 104.pdf | |
![]() | XC2S30VQ100-5C | XC2S30VQ100-5C P TQFP100 | XC2S30VQ100-5C.pdf | |
![]() | AT28HC16-90DC | AT28HC16-90DC ATMEL DIP | AT28HC16-90DC.pdf | |
![]() | PR-11T033075C01 | PR-11T033075C01 CITIZEN SMD or Through Hole | PR-11T033075C01.pdf | |
![]() | 351-8697-002 | 351-8697-002 ITT N A | 351-8697-002.pdf | |
![]() | UPW1A820MEH | UPW1A820MEH NICHICON DIP | UPW1A820MEH.pdf | |
![]() | 08-0334-02 | 08-0334-02 CISCO CGA | 08-0334-02.pdf | |
![]() | ZFSC-2-1WB-N+ | ZFSC-2-1WB-N+ Mini-circuits SMD or Through Hole | ZFSC-2-1WB-N+.pdf | |
![]() | DF2239TE20V | DF2239TE20V RENESAS NA | DF2239TE20V.pdf | |
![]() | SCD03021T-3R3K-N | SCD03021T-3R3K-N YAGEO SMD | SCD03021T-3R3K-N.pdf |