창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VBT10200C-E3/4W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VT,VxT10200C | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | TMBS® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 5A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.6V @ 5A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | VBT10200C-E3/4WGI VBT10200CE34W | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VBT10200C-E3/4W | |
| 관련 링크 | VBT10200C, VBT10200C-E3/4W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 0JTD012.T | FUSE CARTRIDGE 12A 600VAC/300VDC | 0JTD012.T.pdf | |
![]() | BK/MDA-3-2/10-R | FUSE CERAMIC 3.2A 250VAC 3AB 3AG | BK/MDA-3-2/10-R.pdf | |
![]() | SFR25H0001159FA500 | RES 11.5 OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR25H0001159FA500.pdf | |
![]() | AP2506LES5-3.3V.. | AP2506LES5-3.3V.. AP SMD or Through Hole | AP2506LES5-3.3V...pdf | |
![]() | L2A1340 | L2A1340 LSI BGA | L2A1340.pdf | |
![]() | IN273 | IN273 ORIGINAL D0-35 | IN273.pdf | |
![]() | TC57H1025AD-55 | TC57H1025AD-55 TOSHIBA DIP40 | TC57H1025AD-55.pdf | |
![]() | MAX313CUE | MAX313CUE MAX SMD or Through Hole | MAX313CUE.pdf | |
![]() | AGN200A12H | AGN200A12H Panasonic SMD or Through Hole | AGN200A12H.pdf | |
![]() | S1223-04 | S1223-04 HAMAMATSU CAN3 | S1223-04.pdf | |
![]() | LM358DRA | LM358DRA NS SMD or Through Hole | LM358DRA.pdf |